インテル、サムスン、TSMC、3D積層トランジスタを実演
(spectrum.ieee.org)インテル、サムスン、TSMC、3D積層トランジスタを実演
- 今週のIEEE国際電子デバイス会議で、TSMCはCMOSチップに必要なロジックを積層したCFET(Complementary FET)を公開した。
- CFETはムーアの法則のロードマップにおける次の段階にあたり、インテル、サムスン、TSMCはいずれもこの技術を製造できることを実演した。
GN⁺の意見
- この記事は、半導体業界の先頭を走る企業がムーアの法則に沿って引き続き技術的進歩を遂げていることを示している。
- 3D積層トランジスタ技術であるCFETは、チップの性能と効率を向上させる可能性を持っており、技術の進歩に関心のある人々にとって興味深いニュースだ。
- こうした技術進展は、スマートフォン、コンピューター、データセンターなど多様な電子機器の性能向上に寄与すると見込まれ、日常生活にも直接的な影響を与える可能性がある。
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